台积电不仅在开发新型GAAFET全环绕晶体管工艺如N2、A16和A14，还有持续优化FinFET立体晶体管，其极限应用于最后的N3系列，其工艺节点仍在不断优化。
在2025年美国北美技术论坛上，台积电宣布，第三代3nm工艺——N3P于2024年底实现量产，而第四代N3X将在今年下半年开始生产。
N3P是第二代N3E的改进版本，专为高性能的客户端和数据中心应用设计，同时保持IP和设计的兼容性。
依据官方信息，N3P在同等功耗下性能提升约5%，在相同性能下功耗降低5-10%，而晶体管密度提升4%，尤其在SRAM缩放上显著提高。
目前苹果M3/M4、骁龙8至尊版和天玑9400/9400+均采用N3E工艺，未来是否会转向N3P或直接升级到N2仍未明确。
N3X则是对N3P的进一步升级，能够在同等功耗条件下再提升性能5%，而在同等性能条件下降低功耗7%。
其最大特点是支持最高1.2V的电压，从而挖掘频率和性能，但相应增加漏电率至250%，因此芯片设计需谨慎。
按照计划，台积电N3系列还将推出N3A和N3C两个版本，具体细节未公布，预计N3C定位为超低成本方案。
台积电N3还有一个特殊版本N3B，性能与成本相对较差，目前大客户中仅Intel在使用，主要用于Lunar Lake和Arrow Lake。
