现今高端计算芯片愈发庞大化，台积电正积极推动CoWoS封装技术，旨在生产面积近8000平方毫米、功耗达1000W的巨大芯片，其性能较标准处理器可提升至40倍。
台积电目前实现的CoWoS封装中介层最大面积为2831平方毫米，约为其光罩极限尺寸830平方毫米的3.3倍。
如NVIDIA B200和AMD MI300X等芯片均采用这种封装，将大型计算模块与多个HBM内存芯片整合。
预计明年或稍晚些，台积电将发布新一代CoWoS-L封装技术，其中介层面积可达4719平方毫米，是光罩极限的约5.5倍，并需面积为10000平方毫米的大型基板。
该技术可整合最多12颗HBM内存，包括下一代HBM4。
台积电还计划使中介层面积达到7885平方毫米，即光罩极限的约9.5倍，需18000平方毫米的基板来封装最多4颗计算芯片、12颗HBM内存及其他IP。
此尺寸已超越标准CD光盘盒（通常为142×125毫米）。
台积电同时在研究SoW-X晶圆级封装技术，目前仅有Cerabras和特斯拉应用。
这种巨型芯片不只需复杂的封装技术，还伴随高功耗和高发热问题，预计功耗可达1000W。
台积电计划在CoWoS-L封装的RDL中介层集成完整的电源管理IC，以缩短供电距离，减少有效IC数量，降低寄生电阻，提高系统级供电效率。
这款电源管理IC将采用台积电N16工艺及TSV硅通孔技术制造。
散热方式上，应考虑直触式液冷和浸没式液冷。
OAM 2.0模块形态尺寸为102×165毫米，而100×100毫米基板已接近极限，达120×150毫米则超出，为此行业需要同步更新OAM形态标准。
